Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process
文献类型：期刊论文
| 作者 | Su, Xujun（苏旭军）; Zhang, Jicai（张纪才）; Huang, Jun（黄俊）; Zhang, Jinping（张锦平）; Wang, Jianfeng（王建峰）; Xu, Ke（徐科） |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
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| 出版日期 | 2017 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5342]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_测试分析平台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Su, Xujun,Zhang, Jicai,Huang, Jun,et al. Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2017. |
| APA | Su, Xujun,Zhang, Jicai,Huang, Jun,Zhang, Jinping,Wang, Jianfeng,&Xu, Ke.(2017).Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. |
| MLA | Su, Xujun,et al."Defect structure of high temperature hydride vapor phase epitaxy-grown epitaxial (0001) AlN/sapphire using growth mode modification process".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH (2017). |
入库方式： OAI收割
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