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具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法

文献类型:专利

作者周坤;  池田昌夫;  刘建平;  张书明;  李德尧;  张立群;  杨辉
发表日期2017-12-19
专利号201410408878.9
著作权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
国家CN
文献子类发明
申请日期2014-08-20
语种中文
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5832]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周坤;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉. 具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法. 201410408878.9. 2017-12-19.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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