具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法
文献类型:专利
作者 | 周坤; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 |
发表日期 | 2017-12-19 |
专利号 | 201410408878.9 |
著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
国家 | CN |
文献子类 | 发明 |
申请日期 | 2014-08-20 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5832] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周坤;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉. 具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法. 201410408878.9. 2017-12-19. |
入库方式: OAI收割
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