Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, S. T.; Yang, J.; Zhao, D. G.; Jiang, D. S.; Liang, F.; Chen, P.; Zhu, J. J.; Liu, Z. S.; Li, X.; Liu, W. |
| 刊名 | SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
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| 出版日期 | 2017 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5348]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_刘建平团队 |
| 通讯作者 | Liu JP(刘建平) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, S. T.,Yang, J.,Zhao, D. G.,et al. Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN[J]. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2017. |
| APA | Liu, S. T..,Yang, J..,Zhao, D. G..,Jiang, D. S..,Liang, F..,...&刘建平.(2017).Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN.SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES. |
| MLA | Liu, S. T.,et al."Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN".SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES (2017). |
入库方式： OAI收割
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