GaInP GaAs InGaAsP InGaAs四结级联太阳电池的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 |
| 发表日期 | 2017-01-25 |
| 专利号 | 201310176398.X |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | CN |
| 文献子类 | 发明 |
| 申请日期 | 2013-05-13 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5743]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明；董建荣；李奎龙；孙玉润；曾徐路；于淑珍；赵春雨；杨辉. GaInP GaAs InGaAsP InGaAs四结级联太阳电池的制作方法. 201310176398.X. 2017-01-25. |
入库方式： OAI收割
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