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一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法

文献类型:专利

作者潘革波;  胡立峰;  邓凤祥;  赵宇;  肖燕
发表日期2017-08-08
专利号201310495473.9
著作权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
国家CN
文献子类发明
申请日期2013-10-18
语种中文
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5791]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_学科交叉综合研究部_潘革波团队
作者单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
潘革波;胡立峰;邓凤祥;赵宇;肖燕. 一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法. 201310495473.9. 2017-08-08.

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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