一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法
文献类型:专利
作者 | 潘革波; 胡立峰; 邓凤祥; 赵宇; 肖燕 |
发表日期 | 2017-08-08 |
专利号 | 201310495473.9 |
著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
国家 | CN |
文献子类 | 发明 |
申请日期 | 2013-10-18 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5791] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_学科交叉综合研究部_潘革波团队 |
作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘革波;胡立峰;邓凤祥;赵宇;肖燕. 一种有机 GaN 异质p-n 结紫外光探测器及其制备方法. 201310495473.9. 2017-08-08. |
入库方式: OAI收割
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