III–V族纳米结构及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 潘革波; 邓凤祥; 胡立峰; 赵宇 |
| 发表日期 | 2017-02-15 |
| 专利号 | 201410140814.5 |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 国家 | CN |
| 文献子类 | 发明 |
| 申请日期 | 2014-04-10 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/5746]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_学科交叉综合研究部_潘革波团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘革波；邓凤祥；胡立峰；赵宇. III–V族纳米结构及其制作方法. 201410140814.5. 2017-02-15. |
入库方式： OAI收割
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