一种忆阻器
文献类型：专利
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| 作者 | 诸葛飞; 胡令祥; 曹鸿涛 |
| 发表日期 | 2017-01-04 |
| 专利号 | CN106299114A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层和中间介质层，在中间介质层上形成顶电极，所述中间介质层的材料为在氧化性气氛中进行热处理后的硫化物。本发明通过采用合适的顶电极以及氧化气氛中热处理的硫化物薄膜组合，使得忆阻器表现出许多优异的性能，包括循环稳定性、抗疲劳性、超低的工作电压。在生物神经突触模拟方面表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压(6mV)下实现了短程可塑性和长程可塑性。超低的工作电压使其器件内部结构变化减小，所以极大的增强了器件的时间保持性和抗疲劳性，大幅度降低了器件的功耗。 |
| 公开日期 | 2017-01-04 |
| 申请日期 | 2016-09-09 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15389]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 诸葛飞,胡令祥,曹鸿涛. 一种忆阻器, 一种忆阻器, 一种忆阻器, 一种忆阻器. CN106299114A. 2017-01-04. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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