多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用
文献类型：专利
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| 作者 | 曾志翔; 刘二勇; 周军; 范锦鹏; 乌学东; 曹慧军 |
| 发表日期 | 2016-12-07 |
| 专利号 | CN106191770A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用。在一实施例之中，该方法包括：选择单晶硅靶为阴极，在氮气气氛下利用磁控溅射沉积技术制备氮化硅封孔涂层，随后采用一定的热处理工艺进行高温烧结，然后利用疏水改性剂进行疏水处理，从而获得多孔氮化硅基封孔涂层，该封孔涂层与多孔氮化硅基材的结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷和高透波性等优势，可应用于多种领域。本发明通过多种技术相复合制备氮化硅基封孔涂层，获得了具有优良综合性能的氮化硅基封孔涂层，因而可以实现对多孔氮化硅基体的有效防护。 |
| 公开日期 | 2016-12-07 |
| 申请日期 | 2015-05-05 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15405]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾志翔,刘二勇,周军,等. 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用, 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用, 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用, 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用. CN106191770A. 2016-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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