一种忆阻器及其应用
文献类型：专利
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| 作者 | 诸葛飞; 胡令祥; 曹鸿涛 |
| 发表日期 | 2017-05-10 |
| 专利号 | CN106654009A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合，使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压，表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用，该忆阻器表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性，成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件。 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 申请日期 | 2016-12-19 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15583]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 诸葛飞,胡令祥,曹鸿涛. 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用, 一种忆阻器及其应用. CN106654009A. 2017-05-10. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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