一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法
文献类型：专利
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| 作者 | 郭炜; 叶继春; 黄峰; 李俊梅; 孟凡平; 高平奇; 韩灿 |
| 发表日期 | 2017-07-04 |
| 专利号 | CN106920739A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1‑m<-sub>N的方法。具体地，本发明公开了一种复合材料以及所述复合材料的制备方法和应用。所述复合材料所包含的外延薄膜的位错密度、薄膜裂纹密度和薄膜表面粗糙度得到综合改善，因此可获得晶体质量、薄膜完整性和表面形貌平衡提升的复合材料，同时，基于这种复合材料可以大大缩短外延芯片的生长时间，全面提升包含所述复合材料的光电器件或功率器件的性能和产率。所述方法具有工艺简单、成本低、产品良率高等特点。 |
| 公开日期 | 2017-07-04 |
| 申请日期 | 2017-04-14 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15891]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭炜,叶继春,黄峰,等. 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法, 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法, 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法, 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法. CN106920739A. 2017-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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