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一种有机高分子忆阻结构单元

文献类型:专利

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作者刘钢; 李润伟; 张文斌; 潘亮; 冀正辉; 张超超
发表日期2015-10-14
专利号CN104979472A
著作权人中国科学院宁波材料技术与工程研究所
国家中国
文献子类发明
英文摘要本发明提供了一种有机高分子忆阻结构单元。该结构单元包括绝缘衬底、底电极层、忆阻层与顶电极层,所述的忆阻层由有机高分子电解质材料和有机高分子阻变材料组成。该有机高分子忆阻结构单元在脉冲电压激励或扫描电压激励下,当进行激励、撤去激励、再激励时,其电流-激励次数特性曲线和电流-时间特性曲线呈现出具有类似生物神经突触的“学习、记忆、遗忘、回忆”特征,因此可作为新型微电子仿生单元应用于计算机等技术领域,以模仿人脑神经突触处理和学习信息的工作方式,从而极大地促进计算机等的运算速度与并行处理能力。
公开日期2015-10-14
申请日期2014-04-11
状态公开
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15954]  
专题宁波材料技术与工程研究所_专利成果
推荐引用方式
GB/T 7714
刘钢,李润伟,张文斌,等. 一种有机高分子忆阻结构单元, 一种有机高分子忆阻结构单元, 一种有机高分子忆阻结构单元, 一种有机高分子忆阻结构单元. CN104979472A. 2015-10-14.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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