太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池
文献类型：专利
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| 作者 | 叶继春; 曾俞衡; 高平奇; 童慧; 蔡亮; 廖明墩; 王丹 |
| 发表日期 | 2017-02-22 |
| 专利号 | CN106449884A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氧化硅层的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硅片置于混合酸液中进行氧化处理，所述混合酸液为硝酸、硫酸混合液；其中，所述硝酸、硫酸混合液由68％的浓硝酸、98％的浓硝酸按体积比1:1～10:1混合而成。上述氧化硅层的制备方法，1)可以实现对硅表面更加高效的氧化效果，氧化硅层的硅被氧化的更加彻底，高价态的硅比例升高；2)制备温度低，可以在低至20℃的条件下制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层，满足制备太阳能电池的需要；3)处理时间缩短，例如可以在2～4min制备出厚度大于1.4nm的氧化硅层；4)氧化层厚度合适，制备的氧化硅层可以控制在1.0～3.0nm，氧化硅层厚度可以完全覆盖器件所需的厚度要求。 |
| 公开日期 | 2017-02-22 |
| 申请日期 | 2016-11-09 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/15990]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶继春,曾俞衡,高平奇,等. 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池, 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池, 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池, 太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池. CN106449884A. 2017-02-22. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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