一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法
文献类型：专利
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| 作者 | 宋伟杰; 曾俞衡; 谭瑞琴; 刘超; 黄金华; 王维燕 |
| 发表日期 | 2015-09-09 |
| 专利号 | CN104900496A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法，步骤为：以Si和Al为靶材进行共溅射，溅射压力为0.1～20Pa，铝靶的溅射功率为30～200W，硅靶的溅射功率为80～300W，在衬底表面沉积得到Alx<-sub>Si1-x<-sub>混合薄膜，其中，0.05 |
| 公开日期 | 2015-09-09 |
| 申请日期 | 2015-05-05 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16059]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋伟杰,曾俞衡,谭瑞琴,等. 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法, 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法, 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法, 一种面心立方相硅晶体薄膜的制备方法. CN104900496A. 2015-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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