一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法
文献类型：专利
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| 作者 | 谢亚丽; 李润伟; 詹清峰; 刘宜伟; 王保敏 |
| 发表日期 | 2016-06-15 |
| 专利号 | CN105679339A |
| 著作权人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构，依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力，或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力，在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态；当磁场写入时控制应力使其处于铁磁状态，通过耦合作用降低磁性介质层的矫顽力，从而降低写入磁头的写入磁场，降低能耗；当磁场写入完毕后控制应力使变磁性材料处于反铁磁状态，磁性介质层的矫顽力恢复到原来的状态，从而增加存储密度，提高磁性存储器件的数据存储安全性。 |
| 公开日期 | 2016-06-15 |
| 申请日期 | 2014-11-17 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16105]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_专利成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢亚丽,李润伟,詹清峰,等. 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法, 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法. CN105679339A. 2016-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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