溅射靶功率对W-C:H薄膜结构与摩擦学性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王立平; 孙尚琪; 刘翔; 王永欣; 李金龙 |
| 刊名 | 表面技术
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| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 11页码:104-109 |
| 英文摘要 | 目的研究不同溅射功率对W-C:H涂层结构与摩擦学性能的影响。方法用非平衡磁控溅射(UBMS)+等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),以WC靶作为溅射靶,C2H2为反应气体,通过调制溅射靶功率,在316不锈钢与Si(100)基体上制备了W-C:H系列薄膜。通过场发射电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱对薄膜的微观结构和成分进行了表征。用UMT-3MT多功能摩擦机对薄膜的摩擦学性能进行了分析。结果 W-C主要以β-WC1-x纳米晶的形式均匀分布在非晶碳中,并表现出(200)面择优生长。随着溅射靶功率的上升,薄膜内W含量逐渐升高,(200)面衍射峰逐渐增强,sp2含量先降低后升高。靶功率在1.4 k W时具有较好的摩擦学性能,摩擦系数为0.15,磨损率为3.92×10-7 mm~3/(N·m)。结论随着溅射靶功率逐渐升高,柱状晶逐渐变粗,涂层的致密性逐渐降低,薄膜摩擦学性能与WC含量密切相关。 |
| 公开日期 | 2017-12-25 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13314]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立平,孙尚琪,刘翔,等. 溅射靶功率对W-C:H薄膜结构与摩擦学性能的影响[J]. 表面技术,2017(11):104-109. |
| APA | 王立平,孙尚琪,刘翔,王永欣,&李金龙.(2017).溅射靶功率对W-C:H薄膜结构与摩擦学性能的影响.表面技术(11),104-109. |
| MLA | 王立平,et al."溅射靶功率对W-C:H薄膜结构与摩擦学性能的影响".表面技术 .11(2017):104-109. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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