一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁凌燕; 李久朋; 马德伟; 曹鸿涛; 竺立强; 李俊; 李康; 张洪亮; 诸葛飞; 高俊华 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 04页码:592-595 |
| 英文摘要 | 本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。 |
| 公开日期 | 2017-12-25 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13346]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁凌燕,李久朋,马德伟,等. 一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器[J]. 材料科学与工程学报,2017(04):592-595. |
| APA | 梁凌燕.,李久朋.,马德伟.,曹鸿涛.,竺立强.,...&高俊华.(2017).一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器.材料科学与工程学报(04),592-595. |
| MLA | 梁凌燕,et al."一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器".材料科学与工程学报 .04(2017):592-595. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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