刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李晓伟; 吴晓春; 谢仕芳; 郭婷; 左潇; 郭鹏; 汪爱英 |
| 刊名 | 表面技术
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| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 04页码:143-149 |
| 英文摘要 | 目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构。结果辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积。随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低。结论相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜。这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力。 |
| 公开日期 | 2017-12-25 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13401]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晓伟,吴晓春,谢仕芳,等. 刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响[J]. 表面技术,2017(04):143-149. |
| APA | 李晓伟.,吴晓春.,谢仕芳.,郭婷.,左潇.,...&汪爱英.(2017).刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响.表面技术(04),143-149. |
| MLA | 李晓伟,et al."刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响".表面技术 .04(2017):143-149. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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