基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 诸葛飞; 潘若冰; 胡丽娟; 曹鸿涛; 竺立强; 李俊; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 李康 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 02页码:232-236 |
| 英文摘要 | 本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。 |
| 公开日期 | 2017-12-25 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13402]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 诸葛飞,潘若冰,胡丽娟,等. 基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件[J]. 材料科学与工程学报,2017(02):232-236. |
| APA | 诸葛飞.,潘若冰.,胡丽娟.,曹鸿涛.,竺立强.,...&李康.(2017).基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件.材料科学与工程学报(02),232-236. |
| MLA | 诸葛飞,et al."基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件".材料科学与工程学报 .02(2017):232-236. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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