坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何庆波; 金敏; 徐家跃; 范世骥; 申慧; 谈慧祖 |
| 刊名 | 应用技术学报
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 01页码:10-13+88 |
| 英文摘要 | 利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1 260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1 436cm-2,电阻率达107Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求. |
| 公开日期 | 2017-12-25 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/13419]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何庆波,金敏,徐家跃,等. 坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究[J]. 应用技术学报,2017(01):10-13+88. |
| APA | 何庆波,金敏,徐家跃,范世骥,申慧,&谈慧祖.(2017).坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究.应用技术学报(01),10-13+88. |
| MLA | 何庆波,et al."坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究".应用技术学报 .01(2017):10-13+88. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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