Indium-Zinc-Oxide Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors for Artificial Synapse Applications
文献类型：会议论文
| 作者 | Zhu, Li Qiang; Zhu, LQ |
| 出版日期 | 2014 |
| 会议日期 | JUN 18-20, 2014 |
| 关键词 | Laterally Coupling Electric-double-layer Synaptic Transistor |
| 会议录出版者 | 2014 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC) |
| 会议录出版地 | Chengdu, PEOPLES R CHINA |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16349]  |
| 专题 | 宁波材料技术与工程研究所_2015专题 |
| 通讯作者 | Zhu, LQ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu, Li Qiang,Zhu, LQ. Indium-Zinc-Oxide Electric-Double-Layer Thin-Film Transistors for Artificial Synapse Applications[C]. 见:. JUN 18-20, 2014. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。