低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王海飞; 张继伟; 梁凌燕; 周晓静; 杨新荣 |
| 刊名 | 低温物理学报
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 39期号:06页码:31-38 |
| 关键词 | 氧化锌薄膜晶体管 低能亚等离子体 电学特性 |
| 产权排序 | 邯郸学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所;邯郸城市发展投资集团有限公司; |
| 英文摘要 | 采用磁控溅射室温工艺制备了底栅结构ZnO基薄膜晶体管,其介电层表面采用低能Ar等离子体处理.结构表明等离子处理提高了器件的电学性能,即阈值下降36%,亚阈值斜率减少47%,开启电压从-15V变为0V.但是,经等离子处理的器件表现出源漏电流-栅电压(IDS-VG)迟滞和阈值频移现象.这说明Ar等离子体处理在提高器件电学性能的同时会降低器件的电学稳定性.我们基于溅射损伤和态密度变化规律解释了这种矛盾,并认为介电表面的离子损伤对ZnO基薄膜晶体管的电学稳定性会产生重要影响. |
| 公开日期 | 2018-12-04 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16624]  |
| 专题 | 2017专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王海飞,张继伟,梁凌燕,等. 低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）[J]. 低温物理学报,2017,39(06):31-38. |
| APA | 王海飞,张继伟,梁凌燕,周晓静,&杨新荣.(2017).低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）.低温物理学报,39(06),31-38. |
| MLA | 王海飞,et al."低能氩等离子处理介电层表面对ZnO薄膜晶体管性能影响（英文）".低温物理学报 39.06(2017):31-38. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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