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含石墨烯胞室结构的铜复合材料及其耐腐蚀性能

文献类型:期刊论文

作者耿启; 李傲; 舒圣程; 吴明亮; 王强; 张强; 丁一; 陈保安; 祝志祥; 韩钰
刊名表面技术
出版日期2018
卷号47期号:10页码:224-230
关键词化学气相沉积 立体胞室结构 石墨烯/铜 导电性 抗刻蚀性能 原位生长
产权排序中国科学院宁波材料技术与工程研究所中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室;中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江省海洋与防护重点实验室;全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室;国网山西省电力公司;
英文摘要目的开发一种石墨烯在铜基复合材料中的均匀分散结构,制备出兼具高导电和强抗刻蚀性能的石墨烯/铜复合材料。方法采用化学气相沉积原位生长法结合分散剂工艺,制备分散均匀石墨烯/铜基粉体复合材料。利用制备的石墨烯/铜粉体材料,采用真空热压工艺,制备了石墨烯/铜块体材料,然后用拉曼光谱、X射线粉末衍射仪和金相显微镜,考察石墨烯/铜试样的质量和形貌,最后用数字便携式涡流电导仪测量其电导率。利用自主设计的石墨烯/铜在过硫酸铵中刻蚀的实验装置,测试石墨烯/铜的抗刻蚀性能。结果利用石墨烯/铜粉体制备的石墨烯/铜块体和铜具有相同的(111)、(200)和(220)晶面,多层石墨烯以立体胞室结构均匀分布在铜晶粒的晶界处。石墨烯/铜块体的导电率为96%IACS,明显优于文献报道的以其他方法制备的石墨烯/铜块体,并且在过硫酸铵溶液中浸泡90 min后,石墨烯/铜块的质量损失为126.6 mg,石墨烯/铜比纯铜的抗刻蚀能力提高了37.6%,具有比铜更强的抗刻蚀性能。结论以CVD原位生长法和真空热压法制备的石墨烯/铜复合材料,石墨烯以立体胞室结构均匀分散在铜界面处,并且兼具高的导电性和强的抗刻蚀性能。
公开日期2018-12-04
源URL[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16489]  
专题2018专题
推荐引用方式
GB/T 7714
耿启,李傲,舒圣程,等. 含石墨烯胞室结构的铜复合材料及其耐腐蚀性能[J]. 表面技术,2018,47(10):224-230.
APA 耿启.,李傲.,舒圣程.,吴明亮.,王强.,...&戴丹.(2018).含石墨烯胞室结构的铜复合材料及其耐腐蚀性能.表面技术,47(10),224-230.
MLA 耿启,et al."含石墨烯胞室结构的铜复合材料及其耐腐蚀性能".表面技术 47.10(2018):224-230.

入库方式: OAI收割

来源:宁波材料技术与工程研究所

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