ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵飞文; 王洋; 焦雷; 李惠; 郑秀; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 诸葛飞 |
| 刊名 | 材料科学与工程学报
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 36期号:05页码:726-729 |
| 关键词 | 忆阻器 自整流 神经突触器件 Zno |
| 产权排序 | 江苏大学材料科学与工程学院;江苏星源电站冶金设备制造有限公司;江苏科技大学材料科学与工程学院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所; |
| 英文摘要 | Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为。 |
| 公开日期 | 2018-12-04 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16492]  |
| 专题 | 2018专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵飞文,王洋,焦雷,等. ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为[J]. 材料科学与工程学报,2018,36(05):726-729. |
| APA | 赵飞文.,王洋.,焦雷.,李惠.,郑秀.,...&诸葛飞.(2018).ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为.材料科学与工程学报,36(05),726-729. |
| MLA | 赵飞文,et al."ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为".材料科学与工程学报 36.05(2018):726-729. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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