新型热电SnSe半导体晶体研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 田甜; 金敏; 李雨萌; 申慧; 徐家跃 |
| 刊名 | 应用技术学报
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 18期号:02页码:100-105 |
| 关键词 | Snse晶体 热电材料 晶体生长 水平布里奇曼法 |
| 产权排序 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;上海应用技术大学材料科学与工程学院晶体生长研究所; |
| 英文摘要 | SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶体在生长过程中极易出现解理和开裂,难以获得大尺寸晶体。本文对当前国内外几种主流SnSe晶体生长方法进行了归纳,包括水平气相法、垂直布里奇曼法、垂直温度梯度法等,综合评价了各种方法的优缺点。重点介绍了本团队在水平布里奇曼法生长SnSe晶体方面的研究结果,该方法有望成为未来制备高质量、大尺寸SnSe晶体的一种主流技术。此外,还将不同SnSe晶体的热电优值ZT进行了比较,并对其性能波动进行了初步分析。本综述论文将有助于加深人们对SnSe晶体生长特性的认识,并为未来该晶体材料制备和性能研究提供参考。 |
| 公开日期 | 2018-12-04 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16539]  |
| 专题 | 2018专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田甜,金敏,李雨萌,等. 新型热电SnSe半导体晶体研究进展[J]. 应用技术学报,2018,18(02):100-105. |
| APA | 田甜,金敏,李雨萌,申慧,&徐家跃.(2018).新型热电SnSe半导体晶体研究进展.应用技术学报,18(02),100-105. |
| MLA | 田甜,et al."新型热电SnSe半导体晶体研究进展".应用技术学报 18.02(2018):100-105. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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