石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李小晴; 叶辰; 林正得; 江南 |
| 刊名 | 材料科学与工艺
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 26期号:04页码:8-13 |
| 关键词 | 无机质材料 石墨烯 传感器 Dna 汞离子 |
| 产权排序 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所表面工程事业部;中国科学院大学材料科学与光电技术学院; |
| 英文摘要 | 本工作采用化学气相沉积法(CVD)石墨烯制备场效应晶体管(FET)传感器,在石墨烯表面修饰DNA,用于检测汞离子.为探索转移方法对石墨烯传感器件性能的影响,制备了3种不同转移工艺的石墨烯样品,分别是PMMA转移方法中退火烧除PMMA的石墨烯、用丙酮洗去PMMA的石墨烯和Au转移的石墨烯,对石墨烯样品进行拉曼光谱、分光光度计、光学显微镜(OM)、扫描探针显微镜(SPM)的表征.通过FET转移特性曲线的输出,得到汞离子对石墨烯掺杂情况的变化,从而考察了各种石墨烯传感器对汞离子的检测性能.结果表明,Au转移的石墨烯表面清洁程度最佳,SPM图像显示其表面平坦无杂质,表面粗糙度(Ra)仅为0.45 nm.用该种石墨烯制备的传感器件对汞离子检测的检测限达10 p M,且FET的狄拉克点变化也最大,达-0.132 V. |
| 公开日期 | 2018-12-04 |
| 源URL | [http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/16573]  |
| 专题 | 2018专题 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李小晴,叶辰,林正得,等. 石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响[J]. 材料科学与工艺,2018,26(04):8-13. |
| APA | 李小晴,叶辰,林正得,&江南.(2018).石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响.材料科学与工艺,26(04),8-13. |
| MLA | 李小晴,et al."石墨烯转移工艺对石墨烯传感器检测汞离子的影响".材料科学与工艺 26.04(2018):8-13. |
入库方式： OAI收割
来源：宁波材料技术与工程研究所
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