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锰钴镍薄膜热敏材料的制备方法

文献类型:专利

作者1侯云,2黄志明,3葛玉建,4蔡愚,5禇君浩
发表日期2008
专利号200610030144.7
著作权人上海技术物理研究所
国家中国
文献子类发明
公开日期2011-07-06
申请日期2006
语种中文
状态公开
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/665]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
1侯云,2黄志明,3葛玉建,4蔡愚,5禇君浩. 锰钴镍薄膜热敏材料的制备方法. 200610030144.7. 2008-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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