基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 乐阳 ; 孙艳; 陈鑫; 戴宁 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2010-02-10 |
| 卷号 | 31期号:2页码:8-13 |
| 关键词 | 硒化镉 半导体量子点 核壳纳米结构 白光led |
| 英文摘要 | 作为发光可覆盖整个可见光波段的发光材料，Ⅱ--Ⅵ族半导体量子点自上世纪90年代以来一直是构筑白光发光二极管(LED)的关键材料之一。本文主要介绍基于缺陷态发光、单源二色互补发光、三基色复合发光和光致发光等发光原理的半导体量子点的白光LED，并比较了不同类型器件的特点。凭借发光效率等主要性能参数的优势，基于GaN基蓝紫光与量子点荧光粉组合得到的白光LED将最有可能首先实现商业化应用。而在高清显示技术方面，结合微接触印刷技术的三基色复合白光LED具有潜在应用价值。最后简要介绍在提高白光LED发光效率方面的进展。 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/910]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乐阳 ,孙艳,陈鑫,等. 基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展[J]. 红外,2010,31(2):8-13. |
| APA | 乐阳 ,孙艳,陈鑫,&戴宁.(2010).基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展.红外,31(2),8-13. |
| MLA | 乐阳 ,et al."基于Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点的白光LED的研究进展".红外 31.2(2010):8-13. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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