背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 1 唐恒敬 2 张可锋 3 吴小利4 朱慧 5 李永富6 宁锦华 7 李淘8 汪洋 9 李雪10 龚海梅 |
| 发表日期 | 2009 |
| 专利号 | 200710173512.8 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2007 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1001]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 唐恒敬 2 张可锋 3 吴小利4 朱慧 5 李永富6 宁锦华 7 李淘8 汪洋 9 李雪10 龚海梅. 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺. 200710173512.8. 2009-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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