平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法
文献类型：专利
| 作者 | 1 乔辉 2 汤英文 3 李向阳 4龚海梅 |
| 发表日期 | 2009 |
| 专利号 | 200710170718.5 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2007 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1003]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1 乔辉 2 汤英文 3 李向阳 4龚海梅. 平面型碲镉汞光伏器件离子注入损伤层的消除方法. 200710170718.5. 2009-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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