铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 1张可锋2唐恒敬3吴小利4徐国庆5李雪 6朱龙源7龚海梅 |
| 发表日期 | 2009 |
| 专利号 | 200710171389.6 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 申请日期 | 2007 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1007]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1张可锋2唐恒敬3吴小利4徐国庆5李雪 6朱龙源7龚海梅. 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法. 200710171389.6. 2009-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。