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用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法

文献类型:专利

作者1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力
发表日期2009
专利号200810033251.4
著作权人上海技术物理研究所
国家中国
文献子类发明
公开日期2011-07-06
申请日期2008
语种中文
状态公开
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/1011]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力. 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法. 200810033251.4. 2009-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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