用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法
文献类型:专利
作者 | 1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力 |
发表日期 | 2009 |
专利号 | 200810033251.4 |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-07-06 |
申请日期 | 2008 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1011] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 1赵守仁 2陆修来 3魏彦锋 4陈新强 5杨建荣 6丁瑞军 7何力. 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料位错显示的腐蚀剂及腐蚀方法. 200810033251.4. 2009-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:上海技术物理研究所
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