HgMnTe磁性半导体研究概述
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱亮清; 褚君浩 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2011-05-10 |
| 卷号 | 32期号:5页码:1-8 |
| 关键词 | Hgmnte 磁性半导体 磁交换作用 自旋电子学 |
| 英文摘要 | HgMnTe是一种典型的Mn基II-VI族窄禁带磁性半导体材料，已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入，HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用：d-d交换和sp-d交换，导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此，HgMnTe材料具有许多潜在应用，如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯，并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。 |
| 公开日期 | 2011-07-06 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1035]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱亮清,褚君浩. HgMnTe磁性半导体研究概述[J]. 红外,2011,32(5):1-8. |
| APA | 朱亮清,&褚君浩.(2011).HgMnTe磁性半导体研究概述.红外,32(5),1-8. |
| MLA | 朱亮清,et al."HgMnTe磁性半导体研究概述".红外 32.5(2011):1-8. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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