一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法
文献类型：专利
| 作者 | 1陆卫; 2李天信; 3李志锋; 4邵军; 5陈平平; 6李宁; 7张波; 8陈效双 |
| 发表日期 | 2010 |
| 专利号 | 200510111477.8 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-07 |
| 申请日期 | 2005 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1118]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1陆卫,2李天信,3李志锋,等. 一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法. 200510111477.8. 2010-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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