一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 1、陆卫; 2、夏长生; 3、李志锋; 4、张波; 5、甄红楼; 6、陈平平; 7、李天信; 8、李宁; 9、陈效双 |
| 发表日期 | 2010 |
| 专利号 | 200710044935.X |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2011-07-07 |
| 申请日期 | 2007 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1126]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1、陆卫,2、夏长生,3、李志锋,等. 一种检测多量子阱发光二极管内部量子点密度的方法. 200710044935.X. 2010-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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