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离子注入类碲镉汞光伏探测器损伤程度的检测方法

文献类型:专利

作者1 陆卫 2 殷菲 3 张波 4 甄红楼 5 李天信 6 陈平平 7 李志锋 8 李宁 9 陈效双
发表日期2010
专利号200810204665.9
著作权人上海技术物理研究所
国家中国
文献子类发明
公开日期2011-07-07
申请日期2008
语种中文
状态公开
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/1156]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
1 陆卫 2 殷菲 3 张波 4 甄红楼 5 李天信 6 陈平平 7 李志锋 8 李宁 9 陈效双. 离子注入类碲镉汞光伏探测器损伤程度的检测方法. 200810204665.9. 2010-01-01.

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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