一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法
文献类型:专利
作者 | 陆卫 殷豪 李天信 胡伟达 王文娟 甄红楼 李宁 陈平平 李志锋 陈效双 李永富 龚海梅 |
发表日期 | 2010 |
专利号 | 200910050313.7 |
著作权人 | 上海技术物理研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
公开日期 | 2011-07-07 |
申请日期 | 2009 |
语种 | 中文 |
状态 | 公开 |
源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1172] ![]() |
专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆卫 殷豪 李天信 胡伟达 王文娟 甄红楼 李宁 陈平平 李志锋 陈效双 李永富 龚海梅. 一种检测光照下半导体光探测器件表面漏电通道的方法. 200910050313.7. 2010-01-01. |
入库方式: OAI收割
来源:上海技术物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。