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InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析

文献类型:期刊论文

作者唐恒敬; 李永富; 朱耀明; 李淘; 李雪; 龚海梅
刊名红外
出版日期2009-11-10
卷号30期号:11页码:7-11
关键词光电探测器 Ingaas 偏振 响应 Sinx
英文摘要在偏振成像和激光功率测量技术领域,凡涉及偏振光的定量测量,都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是由于许多类型的光探测器存在偏振敏感响应引起的。本文对光电探测器的偏振响应进行了分析,推导了光电探测器偏振相关损耗的斯托克斯模型。分析了SiNx钝化膜对InGaAs探测器偏振响应的影响。结果表明,无SiNx钝化膜时,随着入射角度的增加,偏振响应损耗明显增加,而随着波长的增加,偏振响应损耗明显降低;采用SiNx钝化膜时,随着波长的增加,偏振响应损耗先减小后增加。由于设计的SiNx薄膜的增透中心波长为1550 nm,1310 nm波长处的偏振响应损耗大于1550 nm处的偏振响应损耗。
公开日期2011-08-19
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/1687]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
唐恒敬,李永富,朱耀明,等. InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析[J]. 红外,2009,30(11):7-11.
APA 唐恒敬,李永富,朱耀明,李淘,李雪,&龚海梅.(2009).InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析.红外,30(11),7-11.
MLA 唐恒敬,et al."InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析".红外 30.11(2009):7-11.

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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