新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡伟达; 陈效双; 全知觉 |
| 刊名 | 红外
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| 出版日期 | 2007-02-10 |
| 卷号 | 28期号:2页码:7-11 |
| 关键词 | 器件模拟 数值方法 Mosfet Finfet 短沟道效应 |
| 英文摘要 | 在半导体器件的研制过程中，用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数，则器件的调试周期将显著缩短，费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法，阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态，判断其发展趋势和研究方向。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1751]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡伟达,陈效双,全知觉. 新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计[J]. 红外,2007,28(2):7-11. |
| APA | 胡伟达,陈效双,&全知觉.(2007).新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计.红外,28(2),7-11. |
| MLA | 胡伟达,et al."新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计".红外 28.2(2007):7-11. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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