热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙柏蔚; 胡晓宁 |
| 刊名 | 红外
 |
| 出版日期 | 2006-01-10 |
| 卷号 | 27期号:1页码:21-25 |
| 关键词 | Hgcdte光伏探测器 退火 烘烤 |
| 英文摘要 | 本文论述了HgCdTe 光伏探测器的I-V特性和暗电流机制，讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响。 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1790]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙柏蔚,胡晓宁. 热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响[J]. 红外,2006,27(1):21-25. |
| APA | 孙柏蔚,&胡晓宁.(2006).热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响.红外,27(1),21-25. |
| MLA | 孙柏蔚,et al."热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响".红外 27.1(2006):21-25. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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