弱耦合GaAs /AlGaAs /InGaAs 双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周远明; 俞国林; 高矿红; 林铁; 郭少令; 褚君浩; 戴宁 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 59期号:6 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/1944]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周远明,俞国林,高矿红,等. 弱耦合GaAs /AlGaAs /InGaAs 双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究[J]. 物理学报,2010,59(6). |
| APA | 周远明.,俞国林.,高矿红.,林铁.,郭少令.,...&戴宁.(2010).弱耦合GaAs /AlGaAs /InGaAs 双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究.物理学报,59(6). |
| MLA | 周远明,et al."弱耦合GaAs /AlGaAs /InGaAs 双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究".物理学报 59.6(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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