硒化镉量子点的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 1.孙艳2陈静3孟祥建4戴宁 |
| 发表日期 | 2006 |
| 专利号 | 200410017119.6 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种硒化镉(CdSe)量子点的制备方法，该方法采用CdO或Cd(COO) 2为Cd离子来源，Se粉溶于三辛基磷(TOP)生成的SeTOP为Se离子来源，在三辛基氧化磷(TOPO)中，高温下反应，通过控制反应原料配比和反应时间，来控制CdSe量子点的尺寸；用有机试剂对生成的CdSe量子点多次选择沉淀，得到尺寸分布均匀的CdSe量子点。 |
| 公开日期 | 2011-09-07 |
| 申请日期 | 2004 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2012]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1.孙艳2陈静3孟祥建4戴宁. 硒化镉量子点的制备方法. 200410017119.6. 2006-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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