一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
文献类型：专利
| 作者 | 1陆卫2夏长生3李志锋4李宁5王少伟6张波、7陈平平8陈效双9陈明法 |
| 发表日期 | 2007 |
| 专利号 | 200510110630.5 |
| 著作权人 | 上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。 |
| 公开日期 | 2011-09-07 |
| 申请日期 | 2005 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2056]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 1陆卫2夏长生3李志锋4李宁5王少伟6张波、7陈平平8陈效双9陈明法. 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法. 200510110630.5. 2007-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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