In°uence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yue Fang-Yu(越方禹), Chen Lu(陈璐), Li Ya-Wei(李亚巍), Hu Zhi-Gao(胡志高),Sun Lin(孙琳), Yang Ping-Xiong(杨平雄), and Chu Jun-Hao(褚君浩) |
| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 19期号:11 |
| 公开日期 | 2011-09-13 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2134]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yue Fang-Yu. In°uence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy[J]. Chinese Physics B,2010,19(11). |
| APA | Yue Fang-Yu.(2010).In°uence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy.Chinese Physics B,19(11). |
| MLA | Yue Fang-Yu."In°uence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy".Chinese Physics B 19.11(2010). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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