表面二次阳极氧化对HgCdTe 光导器件性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汤英文; 朱龙源; 游 达; 许金通; 刘诗嘉; 庄春泉; 李向阳; 龚海梅 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 1期号:28 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2286]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汤英文,朱龙源,游 达,等. 表面二次阳极氧化对HgCdTe 光导器件性能的影响[J]. 半导体光电,2007,1(28). |
| APA | 汤英文.,朱龙源.,游 达.,许金通.,刘诗嘉.,...&龚海梅.(2007).表面二次阳极氧化对HgCdTe 光导器件性能的影响.半导体光电,1(28). |
| MLA | 汤英文,et al."表面二次阳极氧化对HgCdTe 光导器件性能的影响".半导体光电 1.28(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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