p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴小利; 王妮丽; 张可峰; 唐恒敬; 黄翌敏; 韩冰; 李雪; 龚海梅 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:11 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2288]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴小利,王妮丽,张可峰,等. p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析[J]. 半导体学报,2007,28(11). |
| APA | 吴小利.,王妮丽.,张可峰.,唐恒敬.,黄翌敏.,...&龚海梅.(2007).p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析.半导体学报,28(11). |
| MLA | 吴小利,et al."p+-InP/n-InGaAs/n-InP 双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析".半导体学报 28.11(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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