Ar+ 刻蚀对InGaAs, n-InP 和p-InP表面损伤及消除
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕衍秋; 越方禹; 洪学鹍; 陈江峰; 韩冰; 吴小利; 龚海梅 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:1 |
| 公开日期 | 2011-10-09 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2312]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕衍秋,越方禹,洪学鹍,等. Ar+ 刻蚀对InGaAs, n-InP 和p-InP表面损伤及消除[J]. 半导体学报,2007,28(1). |
| APA | 吕衍秋.,越方禹.,洪学鹍.,陈江峰.,韩冰.,...&龚海梅.(2007).Ar+ 刻蚀对InGaAs, n-InP 和p-InP表面损伤及消除.半导体学报,28(1). |
| MLA | 吕衍秋,et al."Ar+ 刻蚀对InGaAs, n-InP 和p-InP表面损伤及消除".半导体学报 28.1(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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