New shallow donor centres in high-purity Czochralski-grown silicon single crystals
文献类型：期刊论文
| 作者 | C.H.Yu; B.Zhang; Y.J.Li; W.Lu; X.C.Shen |
| 刊名 | Solid State Communications
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 142 |
| WOS记录号 | WOS:000245497500017 |
| 公开日期 | 2011-10-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2420]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C.H.Yu,B.Zhang,Y.J.Li,et al. New shallow donor centres in high-purity Czochralski-grown silicon single crystals[J]. Solid State Communications,2007,142. |
| APA | C.H.Yu,B.Zhang,Y.J.Li,W.Lu,&X.C.Shen.(2007).New shallow donor centres in high-purity Czochralski-grown silicon single crystals.Solid State Communications,142. |
| MLA | C.H.Yu,et al."New shallow donor centres in high-purity Czochralski-grown silicon single crystals".Solid State Communications 142(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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