Selective Growth of CdTe on Si(211): First-Principle Calculations
文献类型：期刊论文
| 作者 | Y.HUANG; X.S.CHEN; H.DUAN; W.LU |
| 刊名 | Journal of Electronic Materials
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 36期号:8 |
| WOS记录号 | WOS:000249255000021 |
| 公开日期 | 2011-10-11 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2424]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y.HUANG,X.S.CHEN,H.DUAN,et al. Selective Growth of CdTe on Si(211): First-Principle Calculations[J]. Journal of Electronic Materials,2007,36(8). |
| APA | Y.HUANG,X.S.CHEN,H.DUAN,&W.LU.(2007).Selective Growth of CdTe on Si(211): First-Principle Calculations.Journal of Electronic Materials,36(8). |
| MLA | Y.HUANG,et al."Selective Growth of CdTe on Si(211): First-Principle Calculations".Journal of Electronic Materials 36.8(2007). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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