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高量子效率前照式Ga N基p2i2n 结构紫外探测器

文献类型:期刊论文

作者游达; 汤英文; 赵德刚; 许金通; 徐运华; 龚海梅
刊名半导体学报
出版日期2006
卷号27期号:5
公开日期2011-10-21
源URL[http://202.127.1.142/handle/181331/2552]  
专题上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式
GB/T 7714
游达,汤英文,赵德刚,等. 高量子效率前照式Ga N基p2i2n 结构紫外探测器[J]. 半导体学报,2006,27(5).
APA 游达,汤英文,赵德刚,许金通,徐运华,&龚海梅.(2006).高量子效率前照式Ga N基p2i2n 结构紫外探测器.半导体学报,27(5).
MLA 游达,et al."高量子效率前照式Ga N基p2i2n 结构紫外探测器".半导体学报 27.5(2006).

入库方式: OAI收割

来源:上海技术物理研究所

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