单边掺杂InAlAs/InGaAs 单量子阱中二维电子气的磁输运特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周文政; 姚炜; 朱博; 仇志军; 郭少令; 林铁; 崔利杰; 桂永胜; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 55期号:4 |
| 公开日期 | 2011-10-21 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/2670]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周文政,姚炜,朱博,等. 单边掺杂InAlAs/InGaAs 单量子阱中二维电子气的磁输运特性[J]. 物理学报,2006,55(4). |
| APA | 周文政.,姚炜.,朱博.,仇志军.,郭少令.,...&褚君浩.(2006).单边掺杂InAlAs/InGaAs 单量子阱中二维电子气的磁输运特性.物理学报,55(4). |
| MLA | 周文政,et al."单边掺杂InAlAs/InGaAs 单量子阱中二维电子气的磁输运特性".物理学报 55.4(2006). |
入库方式： OAI收割
来源：上海技术物理研究所
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